08.09.2014Инновации в PC-3000 Flash. Завершены испытания нового адаптера управления питанием для мс NAND-Flash.

В компании ООО НПП "ACE" большую долю времени занимают исследования в области вычитывания данных с поврежденных, плохо читаемых микросхем NAND-Flash. Экспериментально был установлен факт положительного влияния напряжения питания на качество чтения некоторых современных "проблемных" микросхем (MLC и TLC), для которых чтение в нормальных условиях сопровождается большим числом битовых ошибок. При этом особенностью таких ошибок является их постоянство, что делает невозможным применение пассивных и статистических методов для улучшения качества чтения.

В результате исследования разработан специализированный адаптер управления питанием, в концепцию и возможности которого заложена готовность решения широкого круга не только известных на текущей момент задач, но и потенциальных задач будущего.



Фото адаптера управления питанием


Характеристики нового адаптера управления питанием:

  • диапазон напряжений: 0.8В - 5 В;
  • шаг изменения: 0.05В;
  • число каналов: 2;
  • число источников: 4, по 2 в каждом канале (независимо коммутируемые);
  • типы источников: 2 линейных преобразователя, 2 импульсных преобразователя;
  • возможности ограничения тока: 100mA, 150 mA, 200mA, 300mA, 500mA, 1.5A, без ограничений;
  • максимальное число выводов микросхемы учтенных для произвольной коммутации: 33;
  • индикаторы наличия напряжения на каждом из каналов;
  • задержка в буферных элементах: < 3 нс.

Возможности нового адаптера управления питанием:

  • Возможность плавного независимого изменения напряжения питания на выводах контура питания ядра микросхемы памяти (Vcc) и на выводах контура питания буферов ввода-вывода (VccQ);


  • Первая экранная форма


  • Возможность изменения напряжения не только на известных на текущий момент питающих выводах микросхем памяти, но и на любом из VSP (Vendor Specific Point), NC (not connected) и RESERVED выводах при необходимости в случае их использовании в будущем, включая выводы используемые в 16-битной архитектуре под старшие разряды шины. Полностью программная коммутация выводов, реализуется через интуитивно понятный графический интерфейс;
  • Плотная интеграция управления питанием в режимы чтения и вычитывания комплекса, что позволило реализовать специализированные режимы работы с "проблемными" микросхемами;
  • Возможность программного подбора оптимального напряжения для вычитывания, а также возможность комбинации режима изменяемого напряжения с командами аппаратных повторов Read Retry и комплексная методика вычитывания дает возможность получать действительно максимально возможный результат при работе с "проблемными" микросхемами памяти;


  • Вторая экранная форма


  • Возможность работы с микросхемами памяти, питание которых отлично от стандартного диапазона 2,7В - 3,6 В (например, чтения микросхем с напряжением питанием 1,8В или 2,5В, а также мс с двойным напряжением);
  • Возможность установки ограничения максимального тока, подаваемого на микросхему памяти. Это с одной стороны позволяет исключить возможность повреждения одной микросхемы большим током при неверной схеме питания или ошибочной ориентации корпуса мс, а с другой - дает возможность питать без выпаивания весь массив микросхем памяти SSD накопителя (до 32 микросхем, токовая нагрузка примерно 1,5 A).
  • Полностью совместим с устройством чтения PC-Flash Reader Ver 3.0. и всеми существующими адаптерами расширения. Тем самым, обеспечивая описанный ранее функционал для всех микросхем памяти, адаптеры для которых есть в составе комплекса или будут разработаны в будущем.


  • Фото последовательно подключенных адаптеров

    Фото последовательно подключенных адаптеров


  • Возможность обеспечивать изменяемое питание для штатной панельки устройства чтения TSOP-48, без дополнительных внешних адаптеров.
  • Возможность использования внешнего источника питания для адаптера и возможность вывода формируемого адаптером напряжения для питания внешних схем.
  • Высокочастотные буферные элементы с двумя контурами питания позволяют без помех для полезного сигнала обеспечить изменения питающего напряжения для микросхемы памяти в диапазоне, ограниченном характеристиками адаптера.

Если Вы не нашли ответа на интересующий Вас вопрос, отправьте нам сообщение:

Ф.И.О. *:
E-mail *:
Телефон:
Сообщение:
* Поля обязательные для заполнения
Введите код, указанный на картинке: